【摘 要】
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忆阻器是除电阻器、电容器和电感器之外的第四种基本无源二端非线性器件,具有记忆功能。采用电流控制传输器、集成运放、模拟乘法器、电阻和电容等基本器件,导出了基于阻抗变
【出 处】
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杭州电子科技大学学报(自然科学版)
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忆阻器是除电阻器、电容器和电感器之外的第四种基本无源二端非线性器件,具有记忆功能。采用电流控制传输器、集成运放、模拟乘法器、电阻和电容等基本器件,导出了基于阻抗变换的浮地忆阻器模型电路。采用忆阻器线性漂移模型,利用软件NI Multisim12.0,仿真分析了荷控浮地忆阻器及磁控浮地忆阻器电路的伏安特性。结果表明,浮地忆阻器的伏安关系与Ti O2忆阻器模型的定义一致,正弦激励信号激励下端口特性展现出典型的非线性磁滞回线特性。证明了基于电流控制传输器的忆阻器电路可用于实际的电路,具有通用性。
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