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针对ZnO半导体低维纳电子／光电子器件中纳米线膜的可控性差及其所导致的特性不稳定问题，利用ZnO纳米籽晶层作为引导层，以实现ZnO纳米线膜的垂直取向生长和尺度分布可控制备，并研究低维量子限域效应对ZnO纳米线膜光电特性的影响机制，利用湿化学法在氧化铟锡导电玻璃上制备ZnO籽晶层，随后利用低温水热法进行ZnO纳米线膜的引导生长，样品的显微结构和物相分析表明，通过调节籽晶热处理温度和生长液浓度能够实现ZnO纳米线直径在10～100nm内可调，籽晶热处理温度对纳米线尺度分布影响尤其显著．室温光致发光（PL）谱测