【摘 要】
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利用CMOS晶体管迁移率和阈值电压温度效应相互补偿的原理,采用CSMC-HJ 0.6μm CMOS技术设计了一种稳定的带隙参考电压源,该带隙参考电压源可以在0~85℃、电源电压 4.5~5.5V的范
【机 构】
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东南大学射频与光电集成电路研究所,东南大学射频与光电集成电路研究所
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利用CMOS晶体管迁移率和阈值电压温度效应相互补偿的原理,采用CSMC-HJ 0.6μm CMOS技术设计了一种稳定的带隙参考电压源,该带隙参考电压源可以在0~85℃、电源电压 4.5~5.5V的范围内正常工作,输出参考电压为1.122~1.176V, 输出参考电压浮动比例小于±3.70%. 包括键合用的焊盘在内,芯片的总面积仅为0.4 mm×0.4 mm,当电源电压在4.5~5.5V范围内变化时,电路总的功率消耗在28.3~48.8 mW 之间浮动.
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