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用等通道转角挤压（equal channel angular pressing，ECAP）法对单晶铜和多晶铜进行了多道次的挤压变形，对挤压过程中晶粒细化机理和变形机理进行了分析。结果表明，单晶铜和多晶铜在A路径下变形8道次以后，晶粒平均尺寸达到5μm以下，但在4道次以后单晶铜沿挤压方向出现织构，多晶铜中出现均匀的等轴晶。TEM分析认为，晶粒位相差随剪切变形量的增加而增大，ECAP加工后材料内部大角度晶界数的增加导致了变形机制的改变，晶界滑移导致了晶粒转动趋势的增加。在多道次挤压后，单晶铜和多晶铜材料的微观