硅正电阻温度系数热敏电阻器

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【摘要】

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为获得一种在常温下具有正温特性的热敏电阻,采用硅单晶材料,利用其迁移率随温度变化的规律设计并制成了硅正电阻温度系数热敏电阻器.测量表明,其电阻值随温度升高而增大.温

【作者】

：

蒋朝伦陶明德冯中华李金琢

【机构】

：

风华电子工程研究开发中心

【出处】

：

电子元件与材料

【发表日期】

：

2004年5期

【关键词】

：

硅单晶热敏电阻器正温度系数迁移率

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为获得一种在常温下具有正温特性的热敏电阻,采用硅单晶材料,利用其迁移率随温度变化的规律设计并制成了硅正电阻温度系数热敏电阻器.测量表明,其电阻值随温度升高而增大.温度系数为(0.6%～0.8%)℃-1,在-50～+100℃温度范围内具有准线性.硅正电阻温度系数热敏电阻器特别适合于各种半导体器件和传感器的温度补偿.

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