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研究了基于流延技术制备硅基锆钛酸铅(PZT)厚膜的工艺.考虑衬底特性对厚膜品质的影响,在不同的种子层上分别制备了PZT厚膜,测试工艺结果,证实了种子层的作用.分析了高温烧结时间对流延PZT厚膜品质的影响,确定了最优高温烧结时间.文章提出的硅基PZT厚膜工艺可用于制备射频天线的介质基片.
流延硅基PZT厚膜工艺研究
【摘 要】
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研究了基于流延技术制备硅基锆钛酸铅(PZT)厚膜的工艺.考虑衬底特性对厚膜品质的影响,在不同的种子层上分别制备了PZT厚膜,测试工艺结果,证实了种子层的作用.分析了高温烧结
【机 构】
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清华大学微电子研究所,清华大学材料系
【出 处】
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压电与声光
【发表日期】
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2001年6期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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