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本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型,借助数学推导得到该模型的计算方程,通过仿真曲线图能清楚地看到它们之间的变化关系,同时说明提高偏置栅MOS管击穿电压的方法.
一种新型偏置栅MOS管漂移区表面电压和电场的分析模型
【摘 要】
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本文提出了偏置栅MOS管漂移区离子注入剂量对表面电压和PN结边界电场两者关系的一种新的分析模型,借助数学推导得到该模型的计算方程,通过仿真曲线图能清楚地看到它们之间的
【机 构】
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东南大学国家ASIC系统工程中心
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2002年3期
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