4H-SiC器件击穿特性的新型解析模型

来源 :西安电子科技大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zcm88

【摘要】

：

基于4H-SiC材料参数,同时考虑雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,建立了一套新型击穿解析模型.模型中首次考虑了雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,能够反映温度、掺杂浓度等参数对器件击

【作者】

：

吕红亮张义门张玉明

【机构】

：

西安电子科技大学

【出处】

：

西安电子科技大学学报

【发表日期】

：

2003年6期

【关键词】

：

4H-SIC 雪崩碰撞带间隧穿击穿特性最大功率密度碳化硅器件 silicon carbideavalanche breakdowntunnelanaly

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基于4H-SiC材料参数,同时考虑雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,建立了一套新型击穿解析模型.模型中首次考虑了雪崩碰撞和带间隧穿两种机制,能够反映温度、掺杂浓度等参数对器件击穿特性的影响.利用这一模型计算得到4H-SiC微波功率MESFET极限功率特性.采用MATLAB编程工具计算得到的结果与实验结果符合较好.

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