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进行了MEMS开关的辐照试验，并对结果进行了分析，所述的MEMS开关采用单晶硅悬臂梁结构实现金属电极接触，工作电压小于50V，最大工作频率大于10kHz。进行了中子辐照和γ辐照实验，其中中子注量为2.73×10^13cm^-2，γ总剂量为50krad（Si），并通过对MEMS开关辐照前后性能的测试，获得了辐照对MEMS开关性能影响的实验数据。结果表明，在辐照剂量大于10krad（Si）时MEMS开关性能有明显变化，借鉴国外的相关研究成果，对MEMS器件的辐照失效机理进行了初步分析。