GaAs/Si衬底电路制备中Ge元素分布的研究

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Si衬底上外廷GaAs材料是微电子学研究的重要课题之一,本文介绍了以大直径的GaAs/Si材料取代GaAs衬底的工艺技术,对Ge元素在GaAs/Si集成电路中的分布影响进行了俄歇电子能谱分析研究,并确定了该技术在大规模集成电路中的应用价值。
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