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介绍了一种集成低压铁氧体驱动器和功率MOS管的单片集成电路。其内建驱动器工作电压9V，功率MOS管极限电压大于80V，工作电流3A。该电路内含D／A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路，以及过频过压保护等功能，采用键合SOI深槽的CMOS／LDMOS工艺制作。
铁氧体驱动与双路功率MOS单片集成电路研究
【摘 要】
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介绍了一种集成低压铁氧体驱动器和功率MOS管的单片集成电路。其内建驱动器工作电压9V，功率MOS管极限电压大于80V，工作电流3A。该电路内含D／A转换器、双路比较器、触发器和组合
【机 构】
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模拟集成电路国家重点实验室、中国电子科技集团公司第二十四研究所,电子科技大学微电子与同体电子学院
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2006年1期
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