【摘 要】
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采用动电位极化、恒电流和交流阻抗测试方法研究了Hg和Ga元素对Mg2%Hg,Mg2%Ga和Mg2%Hg2%Ga合金电化学腐蚀性能的影响,并用扫描电镜、X射线衍射和能谱分析了上述合金的显微组
【出 处】
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Transactions of Nonferrous Metals Society of China
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采用动电位极化、恒电流和交流阻抗测试方法研究了Hg和Ga元素对Mg2%Hg,Mg2%Ga和Mg2%Hg2%Ga合金电化学腐蚀性能的影响,并用扫描电镜、X射线衍射和能谱分析了上述合金的显微组织和腐蚀表面形貌。结果表明:Mg2%Ga合金是固溶体,Mg-2%Hg和Mg-2%Hg2%Ga合金的晶界有白色第二相。Mg-2%Ga合金的平均电位为1.48V,腐蚀电流密度为0.15mA/cm2,电化学活性差,耐腐蚀性能好。Mg-2%Hg-2%Ga合金的平均电位1.848V,腐蚀电流密度为2.136mA/cm2,电化学活性好,耐腐蚀性能差。MgHgGa合金的活化机制是Hg和Ga原子的溶解沉积。
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