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根据光荧光谱的测试原理，针对具体的化合物半导体材料的层次结构，归纳、总结出两个实用的分析模型：光荧光谱的厚度干涉模型和透明衬底发光模型。应用厚度干涉模型，对GaN外延材料、带DBR结构的MQW材料的光荧光谱曲线进行了分析，并解释了AIGaInP LED结构PL扫描图的强度分布。应用透明衬底发光模型，分析并解释了InGaAs材料的发光强度图案。实验结果表明，这两个分析模型能很好地解释薄膜外延层的PL光谱曲线，能够分析光荧光谱的曲线形状和强度分布与材料结构及表面状态的关系，对判断材料品质有较大帮助，具有一定的