Ga掺杂改性ZnO(001)面对CO气敏机理的第一性原理计算

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针对目前在理论上还未能解释清楚的ZnO的气敏机理问题,基于第一性原理结合Castep软件包研究了本征ZnO和Ga掺杂改性ZnO (001)面吸附CO分子后的电子结构和能带结构。研究结果表明:掺杂Ga后ZnO的(001)面的总电子态密度分布与掺杂前类似,带隙中未出现其他的电子态,但掺杂后ZnO表面CO吸附前后的电子态密度发生了显著的变化,价带和导带之间的间隙变小,费米能级进入导带。在此基础上,对Ga掺杂改性ZnO (001)面对CO的气敏机理进行了理论解释。
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