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本文介绍一种在n型Si衬底上制备浅p+-n结的方法。在Si衬底上通过固相反应形成一定厚度的TiSi2薄膜后,穿过TiSi2层进行离子注入掺杂,经快速热退火可形成浅P+-n结。TiSi2薄膜既作为离子注入时的阻挡层,减小离子注入深度,又作为器件的电极及互联引线。这是一种自对准工艺。
用硅化物作注入阻挡层形成浅结
【摘 要】
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本文介绍一种在n型Si衬底上制备浅p+-n结的方法。在Si衬底上通过固相反应形成一定厚度的TiSi2薄膜后,穿过TiSi2层进行离子注入掺杂,经快速热退火可形成浅P+-n结。TiSi2薄膜既
【机 构】
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南京大学物理系和固体微结构实验室,南京电子器件研究所,南京电子器件研究所 南京 210008,南京 210016,南京 210016
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1993年06期
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