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用密度泛函理论对硅酸锆常温下的振动模进行模拟计算，并与实测的Raman和红外光谱进行了对比，解释了各振动模的归属。对硅酸锆晶体在升温过程中的Raman光谱的变化进行了研究。结果表明：随着温度上升，内振动模的红移明显，v3（SiO4）伸缩振动模（B1g）红移最大，波数从常温时的1006cm^-1红移至1823K时的937cm^-1。各振动模不断展宽且相对强度减弱，表明硅酸锆在升温过程中逐渐无序化，但[SiO4]四面体并没有聚合。升温过程中硅酸锆分解成ZrO2和SiO2。