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提出了一种电路结构简单的分段线性补偿方法。不同分段子区间复用一个PTAT电路架构，通过调节外部增加的较少其它电路参数来实现多个补偿电流，采用该复用方法，增加一次分段区间，仅需增加5个MOS管、一个BJT和一个电阻。与一般的分段线性补偿电路相比，所需的MOS器件和BJT器件大大减少了，易于扩展。将该电路应用于一款Boost升压芯片的带隙基准源中，在一40～120℃的温度区间分三个子区间进行线性补偿，采用JAZZ BCD05 2P3M BiCMOS工艺实现，仿真结果表明，在整个温度范围，温漂可达到5.85&#