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介绍了Ⅲ－Ⅴ族化合的单晶生长工艺包括ＬＥＣ、ＶＣＺ、ＶＧＦ／ＶＢ、ＨＢ的发展现状；欲生长大直径、高质量单晶，仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究。目前，全世界Ⅲ－Ⅴ族半导体单晶产量约８０ｔ，产值约５亿美元。
Ⅲ—Ⅴ族化合的半导体单晶材料发展动态
【摘 要】
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介绍了Ⅲ－Ⅴ族化合的单晶生长工艺包括ＬＥＣ、ＶＣＺ、ＶＧＦ／ＶＢ、ＨＢ的发展现状；欲生长大直径、高质量单晶，仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究。目前，全世界Ⅲ－Ⅴ族半导体单晶产量约８０ｔ，产值约５亿美元
【机 构】
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北京有色金属研究总院
【出 处】
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稀有金属
【发表日期】
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2000年5期
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