【摘 要】
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使用射频磁控溅射在镀Mo的玻璃基底上制备了Cu/Sn化学计量比为1.4~2.0的金属前驱体薄膜。经过400℃、450℃和500℃硫化后获得了一系列Cu-Sn-S薄膜。采用X射线衍射、X射线光电
【机 构】
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华东师范大学物理系,齐鲁工业大学电气工程与自动化学院
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使用射频磁控溅射在镀Mo的玻璃基底上制备了Cu/Sn化学计量比为1.4~2.0的金属前驱体薄膜。经过400℃、450℃和500℃硫化后获得了一系列Cu-Sn-S薄膜。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、拉曼光谱、原子力显微镜和紫外可见近红外分光光度计对样品进行了表征。结果表明：硫化温度与前驱体中Cu/Sn化学计量比对Cu-Sn-S薄膜的结构、化学组分和光学性能影响较大。当硫化温度为450℃,前驱体中Cu/Sn化学计量比为1.4∶1时,能得到近乎单一相、四方结构的Cu2SnS3薄膜,光学带隙为1.01eV。过
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