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本文描述了在反应离子刻蚀(RIE)中,以CF_4/O_2为刻蚀气体,用铝、光刻胶作为衬底掩膜时,Si及SiO_2的刻蚀率依赖掩膜材料的情况。并给出了有掩膜和无掩膜情况下,两者刻蚀率上的差异。
反应离子刻蚀中掩膜对刻蚀率的影响
【摘 要】
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本文描述了在反应离子刻蚀(RIE)中,以CF_4/O_2为刻蚀气体,用铝、光刻胶作为衬底掩膜时,Si及SiO_2的刻蚀率依赖掩膜材料的情况。并给出了有掩膜和无掩膜情况下,两者刻蚀率上的
【机 构】
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江西大学物理系
【出 处】
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南昌大学学报(理科版)
【发表日期】
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1990年4期
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