金属管件内壁栅极增强等离子体源离子注入的轴向特性研究

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【摘要】

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栅极增强等离子体源离子注入(GEPSⅡ)一种新的金属管本内壁处理方法,该方法能够均匀地对金属管件内壁进行离子注入,并且能够生成二元金属化合物.在金属管件内轴向放置三块45

【作者】

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张谷令王久丽陈光良冯文然顾伟超牛二武范松华刘赤

【机构】

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中央民族大学物理与电子工程学院,北京,100081北京凝聚态物理国家重点实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080;北京凝聚态物理国家重点实验室,中国科学院物理研究所,北京,100080;

【出处】

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物理学报

【发表日期】

：

2007年3期

【关键词】

：

等离子体源离子注入内表面氮化钛

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栅极增强等离子体源离子注入(GEPSⅡ)一种新的金属管本内壁处理方法,该方法能够均匀地对金属管件内壁进行离子注入,并且能够生成二元金属化合物.在金属管件内轴向放置三块45号钢样品,利用GEPSⅡ方法在金属管件内壁成功生长金黄色氮化钛(TiN)薄膜.结构分析显示TiN主要沿(111)和(200)晶面生长,深度分析显示膜的厚度大约二十几纳米,膜质地均匀且在基底有一定的嵌入深度.电化学腐蚀、硬度、磨擦学分析表明TiN薄膜很好地改善了45号钢的表面性能,并且表现出很高的轴向均匀性.

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