【摘 要】
：
为了提高内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件应用于高压时的ESD防护性能,基于0.35 μm BCD工艺,在典型LDMOS-SCR(Dut1)基础上,制备了两种实验器件,即
【机 构】
：
江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心,江苏无锡,214122
论文部分内容阅读
为了提高内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件应用于高压时的ESD防护性能,基于0.35 μm BCD工艺,在典型LDMOS-SCR(Dut1)基础上,制备了两种实验器件,即阳极环N+区的LDMOS-SCR(Dut2)和在阳极端引入漂移层的LDMOS-SCR(Dut3).在ESD应力作用下,器件开启后的3D TCAD仿真结果表明,相比于Dut1,Dut2和Dut3的电流密度更小,Dut2和Dut3的导通电阻更大.传输线脉冲的测试结果表明,器件的维持电压分别从2.74 V增至8.41 V和16.20 V,Dut2、Dut3的品质因数较Dut1分别增大了1.96倍、3.52倍.该3D TCAD仿真及版图改进方法可为高压IC的ESD防护设计提供有益参考.
其他文献
随着中国经济的持续稳定增长,通信技术在人们的生产生活中的作用越来越重要.微波无线电系统的应用非常广泛,比如卫星通讯、微波移动通讯以及空间通讯等.本文分析了微波无线电
目的 探讨磁共振(magnetic resonance imaging,MRI)对臂丛神经节前损伤诊断的准确率及影响因素.方法 运用MRI对27例臂丛神经损伤的患者进行多序列扫描,将影像学诊断与手术所见及术中神经电生理检测结果进行比较,统计各神经根损伤诊断的准确率.结果 臂丛神经节前损伤MRI表现的直接征象:冠状面、横断面或多平面重建均见脊神经前后根消失或连续性的中断,脊髓移位(中心点偏移＞1.5
为了改善LIGBT的关断特性,已有一种采用PMOS管来控制LIGBT阳极空穴注入的方法.在此基础上,提出了一种具有载流子存储效应的高速SOI-LIGBT结构.采用二维仿真软件MEDICI,对器件
利用椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜,研究了相同温度下不同退火气氛及压强处理对溶液旋涂法制备a-IGZO光学特性和薄膜微观结构的影响.实验结果表明,当退火气氛为O2时,压强由0.
随着数据时代的不断向前发展,计算机远程网络技术在人们的生产生活中发挥着越来越重要的作用.但是在这一过程中,社会的各类数据信息也呈现出不断复杂化的趋势,计算机远程网络
在计算机技术不断更新的背景下,逐渐有更多程序语言被应用到各个行业内,为推动行业发展起到了重要作用.以Java程序语言为例,不仅仅是面向对象程序设计高级程序语言,同时具有
目的 调查我国职业性手外伤患者一般状况,分析影响职业性手外伤回归工作的因素.方法 对2008年9月至2009年9月在华山医院急诊、门诊就诊及住院的共216名职业性手外伤患者进行前瞻性调查队列分析,了解其基本特征、受伤状况、心理学特征、经济及社会支持情况及回归工作状况,分析回归工作结局与可能的影响因素.结果 约71.7%的患者在离开医院8个月内成功返回工作,缺勤时间中位数为24 d.临床状况、社会支
目的 通过研究去神经骨骼肌细胞核转录因子kappa B(nuclear factor of kappa B,NF-kappa B)p65与线粒体通透性转换孔(mitochondrion permeability transition pore,MPTP)及细胞凋亡的关系,探讨失神经肌萎缩的相关机制.方法 Wistar大鼠30只,随机分为健康对照组、去神经2 d组、去神经7 d组、去神经14 d组、
渔民海上作业及海军水上训练中,由于意外出现手指离断伤,加上受高渗海水浸泡,给治疗带来困难.手指旋转撕脱性离断多有报告[1-4],但是海水污染后的断指有其特殊性,自2002年8月至2007年10月,我院收治海水浸泡后旋转撕脱性断指8例16指,效果满意.DI:10.3760/cma.j.issn.1005-054X.2011.01.019
组织管理模式及特点rn星火专项的定位和支持方向rn星火专项主要面向省、自治区、直辖市地震局,兼顾市县地震工作机构、中国地震局所属的观测和任务型事业单位科技研发需求,旨