【摘 要】
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通过衬底加热和氧化钼（Mo O3）修饰源漏极制备了并五苯有机场效应晶体管。研究了衬底温度和电极修饰层厚度对器件性能的影响。实验结果表明：当衬底温度为60℃、Mo O3修饰层为10 n
【机 构】
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天津理工大学理学院,天津理工大学教育部显示材料与光电器件重点实验室天津光电材料与器件重点实验室
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通过衬底加热和氧化钼（Mo O3）修饰源漏极制备了并五苯有机场效应晶体管。研究了衬底温度和电极修饰层厚度对器件性能的影响。实验结果表明：当衬底温度为60℃、Mo O3修饰层为10 nm时,器件性能获得了显著增强,场效应迁移率由原来的3.39×10-3cm2/（V·s）提高到2.25×10-1cm2/（V·s）,阈值电压由12 V降低到3 V。器件性能的改善归因于：衬底加热可以优化有源层形貌,改善载流子传输;而Mo O3修饰层显著降低了电极与有源层之间的接触势垒,提高
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