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高场应力条件下，ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ ＭＯＳ结构场发射极附近的镜像力效应和半导体／氧化层界面附近半导体一侧的表面量子化效应都将影响ＭＯＳ结构的高场隧穿势垒高度及形状。本文研究了这种高场势垒调制效应及其对ＭＯＳ结构高场隧穿特性和陷阱测试分析的影响，并给出了初步的修正分析方法。
高场势垒调制效应及其对陷阱测试分析的影响
【摘 要】
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高场应力条件下，ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ ＭＯＳ结构场发射极附近的镜像力效应和半导体／氧化层界面附近半导体一侧的表面量子化效应都将影响ＭＯＳ结构的高场隧穿势垒高度及形状。本文研究了这种高场势垒调制效应
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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1994年5期
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