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本文介绍了国际上最新的１０万门ＦＰＧＡ系列，该产品由美国Ｇａｔｅ Ｆｉｅｌｄ公司研制，采用Ｆｌａｓｈ存储器作为控制码存储单元以及一种掩膜式门阵列类似的“细粒”可编程逻辑单元，其单元面积大大小于现在市场上的ＳＲＡＭ结构和ＥＰＲＯＭ结构的ＦＰＧＡ及ＥＰＬＤ单元，目前采用０．８μｍ工艺已达１０万门高密度。本文对其多层次“瓦片”式结构也作了较详细介绍。