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为探究HgO-HI^-H_2O体系中HgI_2晶体的分形结构/枝晶的生长条件及其生长机理,通过控制Hg^2+∶I^-摩尔比为1∶7~1∶2间配制溶液,在氧化铟锡玻璃(ITO)上等温溶剂挥发生长了HgI_2晶体.采用津岛紫外-可见分光光度计分析枝晶溶液体系中存在的生长单元;利用LEICA-DM2500P偏光显微镜观察晶体形貌变化,确定分型结构的生长工艺条件;采用二维扩散限制凝聚理论(DLA)对比理论计算与实际枝晶的分型维数,分析枝晶的生长机理.研究结果表明:HgO-HI^-H_2O体系中晶体生长单元为HgI