【摘 要】
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在作者工作过程中,曾碰到客户咨询许多有关功率MOSFET的问题,有些问题涉及到功率MOSFET的数据表中的各种参数,有些和功率MOSFET的具体的应用特性相关,本文中作者就将这些典型
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在作者工作过程中,曾碰到客户咨询许多有关功率MOSFET的问题,有些问题涉及到功率MOSFET的数据表中的各种参数,有些和功率MOSFET的具体的应用特性相关,本文中作者就将这些典型的问题汇总整理,希望对广大的电子工程师有所帮助。问题1：VGS大于VGS（th）,MOSFET导通,MOSFET刚进入米勒平台,是否就算达到了饱和？如果是这样,此时停止向G极供电,假定忽略栅极氧化层的漏电，这时V DS会一直维持比较高压降吗？
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