宽周期掩膜法HVPE侧向外延自支撑GaN的研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：outopos

【摘要】

：

GaN膜在传统生长过程中主要通过异质外延获得,这往往会产生晶格失配和热失配,给GaN带来严重的位错和应力。目前降低位错最广泛的方法是使用侧向外延技术。在这项工作中,首先

【作者】

：

陈王义博徐俞曹冰徐科

【机构】

：

苏州大学光电科学与工程学院,江苏省先进光学制造技术重点实验室和教育部现代光学技术重点实验室,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

【出处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2021年3期

【关键词】

：

自支撑GaN 侧向外延氢化物气相外延宽周期掩膜法半导体 free-standing GaN epitaxial laterally overgrown H

【基金项目】

：

国家自然科学基金重点项目(61734008),国家重点研发计划(2017YFB0404100)

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

GaN膜在传统生长过程中主要通过异质外延获得,这往往会产生晶格失配和热失配,给GaN带来严重的位错和应力。目前降低位错最广泛的方法是使用侧向外延技术。在这项工作中,首先在蓝宝石基GaN衬底上沉积了一层SiO_(2),并用光刻的方法将其制备成高掩膜宽度(窗口宽度20μm/掩膜宽度280μm)的宽周期掩膜,再通过氢化物气相外延(HVPE)侧向外延了厚度为325μm的GaN厚膜,通过胶带可以将其进行剥离形成自支撑衬底。同时通过二维的Wulff结构图研究了GaN生长过程中晶面的变化趋势。宽周期掩膜法对于生长可剥离

其他文献

基于财务风险管理下的企业内控体系创建研究

在市场经济环境当中，通过合理的创建企业内控体系，能够切实提升企业本身的管理能力，从而对企业发展中可能遭遇到的风险进行有效的规避，这对于企业的持续稳定发展有着重要作用。以财务风险管理为前提来对企业内控体系进行创建，能够切实提高企业整体的风险防控能力。本文首先对于内控体系和财务风险之间的关系进行阐述，同时对于当前企业内控体系中存在的问题进行探讨，最后对于财务风险管理基础上的企业内控体系创建策略进行研究

期刊

财务风险管理内控体系市场经济环境持续稳定发展风险防控能力切实提高创建

基于灰度直方图的单一图像噪声类型识别研究

图像噪声类型识别是抑噪方案研究的前提及噪声参数估计的基础,对后续的图像处理有着重要作用。利用含噪图像灰度直方图特性,对几种常见单一噪声类型进行识别。首先对这些噪声基于统计学的方法进行数学建模,获取不同类型噪声的随机矩阵,把这些噪声矩阵加载到灰度图像中;然后对图像中灰度等级相对一致的不连续区域分别采样并画出直方图,通过直方图中不同分量灰度值的分布及图形形状识别噪声类型。在前人的基础上增加了瑞利噪声、

期刊

灰度直方图噪声类型灰度级像素点含噪图像gray histogramnoise typegray levelpixelnoisy image

宽周期掩膜法HVPE侧向外延自支撑GaN的研究

其他学术论文