退火气氛对ZnO:N薄膜的光电性质影响

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研究了退火气氛对ZnO:N(氮掺杂的氧化锌)薄膜的光电性质影响。结果发现,n型电导原位生长的ZnO:N薄膜样品,经过600℃ O2气氛下退火后,样品A表现为P型电导特征;而经过600。CNz气氛下退火后,样品B仍然表现为n型电导特征。低温光致发光光谱(PL)测试表明,样品A和样品B的发光光谱最大的差别为样品A的低温发光光谱中具有与受主相关的发光峰,峰位位于3.348eV;样品B的低温发光光谱中具有与施主相关的发光峰,峰位位于3.358eV。
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