射频等离子体分子束外延GaN的极性研究

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Tianjun9

【摘要】

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对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究.由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同Ga

【作者】

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赵智彪齐鸣朱福英李爱珍

【机构】

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中国科学院微系统与信息技术研究所

【出处】

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功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2002年4期

【关键词】

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分子束外延原子力显微镜光辅助湿法刻蚀极性氮化镓 GaN RF-plasma MBE AFM wet-etching polarity

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对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究.由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外延层的极性有着重要影响:较高缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为N-polar,较低缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为Ga-polar.

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