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我们在 p-i-n 类型和分开的吸收调查了电场的分发，增加(SAM ) 类型在不同反向的偏爱价值下面轧了雪崩光电二极管。我们也分析了每层的参数的影响，包括宽度和集中，在电场的分发上，特别在故障电压上。它被发现那 p 轧的相对高的集中(比 1 潢楲杮? 高 ?? 戴 ? 戴吗？？
Distribution of electric field and design of devices in GaN avalanche photodiodes
【摘 要】
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我们在 p-i-n 类型和分开的吸收调查了电场的分发，增加(SAM ) 类型在不同反向的偏爱价值下面轧了雪崩光电二极管。我们也分析了每层的参数的影响，包括宽度和集中，在电场的分发上
【机 构】
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StateKeyLaboratoryonIntegratedOptoelectronics,SuzhouInstituteofNano-techandNano-bionics
【出 处】
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中国科学：物理学、力学、天文学英文版
【发表日期】
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2012年4期
【基金项目】
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This work was supported by the National Science Fund for Distinguished Young Scholars （Grant No. 60925017） and the National Natural Science Foundation of China （Grant Nos. 10990100, 60836003 and 60776
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