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用半经典理论分析了含多勒普加宽的斯塔克效应调制，使用密度矩阵近似，导出了吸收线附近ＮＨ３分子的吸收系数和调制度表达式，实验研究了１０．７８４μｍ波长的斯塔克效应调制特性，调制频率１ＭＨｚ时，调制度达到３３％。
多勒普加宽斯塔克效应调制分析
【摘 要】
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用半经典理论分析了含多勒普加宽的斯塔克效应调制，使用密度矩阵近似，导出了吸收线附近ＮＨ３分子的吸收系数和调制度表达式，实验研究了１０．７８４μｍ波长的斯塔克效应调制特性，调制频率１ＭＨｚ时，调制度达
【机 构】
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成都电子科技大学光电子技术系
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1998年10期
【基金项目】
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电子科学研究院军事预研基金
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