【摘 要】
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分析了半导体光放大器的偏振特性，研制成功一种具有低偏振相关增益的半导体光放大器，该器件采用张应变与压应变混合量子阱结构，在有源层解理面上镀制超低剩余反射率减反膜以消除
【机 构】
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华中理工大学光电子工程系,华中理工大学光电子工程系,华中理工大学光电子工程系
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分析了半导体光放大器的偏振特性，研制成功一种具有低偏振相关增益的半导体光放大器，该器件采用张应变与压应变混合量子阱结构，在有源层解理面上镀制超低剩余反射率减反膜以消除谐振腔效应并抑制自身受激辐射，使入射光信号在经过有源层时获得单程增益，形成行波放大．
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