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通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法，成功地将工业镀铜技术应用于ULSI铜互连线技术中，实现了对高宽比为1μm的刻孔的无空洞，无裂缝填充，方阻测试表明，所镀铜的电阻率为2．0uΩ.cm，X射线衍射分析结果是出的Cu(111)的致密结构非常有利于互连线技术中高抗电迁移性要求。
ULSI铜互连线技术中的电镀工艺
【摘 要】
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通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法，成功地将工业镀铜技术应用于ULSI铜互连线技术中，实现了对高宽比为1μm的刻孔的无空洞，无裂缝填充，方阻测试表明，所镀铜的电阻率
【机 构】
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中国科学院微电子中心,北京科技大学
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2001年8期
【基金项目】
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国家自然科学基金重点资助项目 (批准号 :6993 60 2 0 )
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