【摘 要】
:
利用幼儿园的一日生活和各种活动开展德育活动,能对幼儿起到潜移默化的教育作用,培养幼儿良好的道德品质。教师要高度重视德育在幼儿园一日生活中的渗透,充分利用一日生活中的各个环节,如游戏与体育活动、种植活动、艺术教育活动、家园合作活动等,适时渗透德育,培养幼儿良好的品德和行为习惯。
论文部分内容阅读
利用幼儿园的一日生活和各种活动开展德育活动,能对幼儿起到潜移默化的教育作用,培养幼儿良好的道德品质。教师要高度重视德育在幼儿园一日生活中的渗透,充分利用一日生活中的各个环节,如游戏与体育活动、种植活动、艺术教育活动、家园合作活动等,适时渗透德育,培养幼儿良好的品德和行为习惯。
其他文献
本文以广府传统村落勒北村为例,通过田野调查与访谈、数据统计、分类比较,结合文献搜集、理论分析,并借鉴跨学科的研究方法与成果,进行广府村落文化遗产资源发掘、整理与文化符号雏形提取、再创演绎及可持续设计活化应用研究。广府传统村落文化遗产既是村落历史文化脉络变迁探究、文化遗产保护传承的宝贵文献,也是深入开展地域形态特征、社会审美动因、人文精神内涵以及乡村振兴、文化创意与文创产业发展等多维度传统文化研究的
分数槽永磁同步电机因存在较低阶次的径向电磁力,导致其电磁噪声较大。基于理论分析、Optislang多目标优化平台与Ansys多物理场有限元分析平台,对一台电动汽车驱动用8极36槽永磁同步电机的电磁噪声进行分析和优化。电机的电磁噪声主要是由作用于定子齿上的径向电磁力波使定子铁心振动变形引起,在定子齿顶开辅助槽并对其齿槽参数进行优化,以削弱径向电磁力。建立电机的二维有限元模型,利用Optislang对
2016年,我国进入互联网高速发展的时代,电商直播也从这时开始萌芽。2019年,在互联网蓬勃发展的势头下,我们迎来了电商直播元年,这一年,依托直播的电商企业如雨后春笋般涌现出来。随着网络信息技术的进一步发展,电商直播俨然已经成为一种新兴的销售模式,增长速度也呈现了井喷式现象。2020年,一场突如其来的疫情再一次加速了电商直播行业的发展,全国的封锁政策使得人们更倾向于网上购物,由此电商直播行业的发展
随着电力电子技术的高速发展,其产品应用市场日渐扩大,以碳化硅(SiC)为代表的新一代宽禁带半导体器件逐步成熟,使电力电子技术得到新的探索领域和突破。S i C MOSFET具有较高的开关速度和较低的损耗,然而,较高的开关速度会引起电流电压过冲和振荡等问题,甚至会产生额外的损耗。因此,本文对大功率SiC MOSFET的有源栅极驱动技术及芯片设计进行研究。论文首先对SiC MOSFET的开关过程进行详
<正>国际能源署最新消息显示,中国正以超前速度发展可再生能源,因此到2030年达到生产1 200吉瓦生态清洁能源的目标将提前实现。据预测,2022—2027年,中国将占全球可再生能源新增装机容量的近一半。即使减少对风能和太阳能装置的补贴,中国可再生能源未来5年仍将继续增长。
近年来,化工企业火灾爆炸事故频发,尤其是类似天津"8·12"这样的多物料危险品事故多发。此类事故一般包含的危险品种类多,厂区周围环境复杂,爆炸威力大,不可控因素多,已经成为危化品处置的难题。本文以"6·5"临沂金誉石化火灾爆炸事故为例,介绍处置过程,分析事故原因,查找不足,给出处置建议。
<正>2020年7月23日四川省人大常委会和重庆市人大常委会签订《关于协同助力成渝地区双城经济圈建设的合作协议》。根据协议,双方将推进协同立法各项工作,共同研究破解区域发展中的共性难题,为唱好"双城记"、建好"经济圈"贡献人大智慧和力量。2020年8月28日四川省人大与重庆市人大就优化营商环境协同立法工作召开座谈会,以成渝地区双城经济圈营商环境建设为重点,就如何通过协同立法,形成要素自由流动的统一
目的 分析黄芪提取物对病毒性心肌炎感染大鼠的疗效,并探究其对于大鼠氧化应激及心功能保护的作用机制。方法 选取SPF级Wistar大鼠50只,10作为对照组,其余40只建立心肌炎感染模型,选取建模成功的30只大鼠随机平均分为模型组、黄芪提取物低、高剂量组。观察大鼠病理评分、心功能指标[左心室收缩末期内径(LVESD)、左心室舒张末期内径(LVEDD)、左室射血分数(LVEF)]、炎性因子[白细胞介素
<正>张连印,左云县张家场人,曾任河北省军区副司令员,少将军衔。退休后回到家乡,选择了与家乡人民一起植树。在他的带领下,回乡18年,已经和乡亲们植树205万株,被人们誉为"植树将军"。去年10月18日,中宣部授予他"时代楷模"光荣称号,他的事迹在全国广为传播。
与硅(Si)晶闸管相比,碳化硅(SiC)门极可关断晶闸管(gate turn-off thyristor,GTO)具有很高的阻断电压、较低的泄漏电流、较高的工作温度和较快的开关速度,非常适合高温、高压和大电流的特高压直流输电、智能电网和脉冲功率等应用领域。然而受4H-SiC材料杂质不完全电离影响,致使SiC GTO p+n发射结的注入效率远小于1,制约了器件性能的提升。同时,从应用层面更关注dV/