AOTF器件制作中光刻工艺的研究

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对在LiNbO3晶体基片上制作声光可调谐滤波器(AOTF)光刻工艺参数的确定进行了研究.着重研究了匀胶机转速、曝光时间和显影时间对光刻效果的影响.通过大量的实验得到了较好的光刻工艺参数,即在低速2850/8(rpm/s)和高速6000/25(rpm/s)的转速下取得较均匀的光刻胶后,在90℃下前烘30min,再经过10S曝光和10S显影,最后再经过30min的100℃后烘,可得到较好的光刻图样.经过显微镜观察,光刻好的图形表面洁净,侧壁陡直光滑,图形质量较好.
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