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分析了漏源pn结泄漏电流对高温MOS模拟集成电路中、工作在零温度系数(ZTC点)的MOSFET交流参数的影响。研究结果表明,pn结扩散电流对高温MOSFET的交流性能有极大的影响,而产生电流的影响则可以忽略不计。减小泄漏电流对高温MOSFET交流性能影响的重要方法是增加衬底掺杂浓度。还给出了漏源pn结泄漏电流和工作在ZTC点的漏源电流最大允许比例的计算公式。