【摘 要】
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本文设计了一种利用隐埋波导耦合的集成化GaAs/GaAlAs单模激光器。并从四层不对称波导的基本电场方程及其本征方程出发,用计算机模拟方法,计算出该集成型激光器结构参数之间的关系,文中还讨论了在不同a、h(y)、D条件下基侧模的最小隐埋波导宽度W,波导中心厚度h,有效隐埋波导宽度W(off)与横向光限制的关系.在模拟计算基础上,导出了四层不对称波导的归一化有效折射率b和限制Гx因子的近似表示式,并得出该激光器最佳结构参数.
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本文设计了一种利用隐埋波导耦合的集成化GaAs/GaAlAs单模激光器。并从四层不对称波导的基本电场方程及其本征方程出发,用计算机模拟方法,计算出该集成型激光器结构参数之间的关系,文中还讨论了在不同a、h(y)、D条件下基侧模的最小隐埋波导宽度W,波导中心厚度h,有效隐埋波导宽度W(off)与横向光限制的关系.在模拟计算基础上,导出了四层不对称波导的归一化有效折射率b和限制Гx因子的近似表示式,并得出该激光器最佳结构参数.
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