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用密堆积升华法在３０－２００（×１３３．３）Ｐａ低压氦气、氩气等气氛下淀积多晶碲化镉薄膜。在硫化镉衬底上得到（１１１）面择优的碲化镉，晶粒尺寸４－８μｍ，厚度３－５μｍ。膜生长速率与总压力成反比，与气氛导热系数成反比。在１：４的３０（×１３３．３）Ｐａ氦气－氧气中，碲化镉的生产速率在１－１．５μｍｍｉｎ＾－１范围内。淀积过程是扩散控制。