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Effects of gate-buffer combined with a p-type spacer structure on silicon carbide metal semiconducto

来源 :Chinese Physics B | 被引量 : 0次 | 上传用户：beijingmonkey

【作 者】

：

宋坤 柴常春 杨银堂 陈斌 张现军 马振洋 

【出 处】

：

Chinese Physics B

【发表日期】

：

2020年1期

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