【摘 要】
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<正> 四川永川固体电路研究所研制出的M4116 16kMOS DRAM、M2114 4kMOS SRAM、M2115 E/DHMOS SRAM以及S100101 3-5输入或/或非门电路等科研成果已于1983年3月通过了部级设计
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<正> 四川永川固体电路研究所研制出的M4116 16kMOS DRAM、M2114 4kMOS SRAM、M2115 E/DHMOS SRAM以及S100101 3-5输入或/或非门电路等科研成果已于1983年3月通过了部级设计定型。这些电路的研制成功为我国计算机和MOS大规模集成电路、超高速ECL电路的发展开创了道路。 M4116 16kMOS DRAM 采用N沟双层多晶硅工艺制造,芯片面积3×5.6mm~2,集成度37000个元件/片。电路用多路分时行、列地址输入,三态输出;数据输出由列地址选通控制并在取数时间至列地址
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