【摘 要】
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采用脉冲微量反应技术研究了添加n型半导体氧化物CeO2对Ni基催化剂上CH4积炭/CO2消炭性能的影响, 用TPR, XPS和氢吸附技术对催化剂进行了表征. 结果表明, 活性金属原子Ni与半
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采用脉冲微量反应技术研究了添加n型半导体氧化物CeO2对Ni基催化剂上CH4积炭/CO2消炭性能的影响, 用TPR, XPS和氢吸附技术对催化剂进行了表征. 结果表明, 活性金属原子Ni与半导体氧化物CeO2之间存在金属-半导体相互作用(MScI), CeO2的添加提高了活性原子Ni0的d电子密度, 在一定程度上抑制了CH4分子中C-H σ电子向d轨道的迁移, 降低了CH4裂解积炭活性; 可加强Ni0原子d轨道向CO2空反键π轨道的电子迁移, 促进CO2分子的活化, 提高CO2的消炭活性, 使Ni/CeO
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