光电耦合器件g—r噪声模型

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yangxin_ctbri
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在宽范围偏置条件下,测量了光电耦合器件的g—r(产生-复合)噪声.实验结果表明,随着偏置电流的增加,g-r噪声逐渐向高频移动,其噪声幅值呈现先增加后减小的变化规律.通过测量前级噪声和后级噪声,发现光电耦合器件g—r噪声来源于后级的光敏三极管.基于载流子数涨落机制,建立了一个光电耦合器件g—r噪声的定量分析模型.实验结果和本文模型符合良好.
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