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介绍了专利申请方案“非平面芯片及碲化太阳能电池”（200610021065．X）的研发过程，并对其技术特点进行了分析。该专利同步实施“非平面芯片”和“选用碲化物制作电池芯片薄膜”两项创新举措，可将普通硅晶太阳能电池的性价比提高一倍，为光伏产品的研究提供一定参考。
非平面芯片及碲化太阳能电池的研发与分析
【摘 要】
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介绍了专利申请方案“非平面芯片及碲化太阳能电池”（200610021065．X）的研发过程，并对其技术特点进行了分析。该专利同步实施“非平面芯片”和“选用碲化物制作电池芯片薄膜”两
【机 构】
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成都加佳好科技有限公司
【出 处】
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节能
【发表日期】
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2009年4期
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