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飞秒激光超短双脉冲序列与硅相互作用研究显示，相对于激光通量较低的单脉冲烧蚀硅材料，同等能量下的双脉冲烧蚀效率明显增加，这种现象在高通量时由于很强的等离子屏蔽效应，烧蚀效率增强趋势被抑制。建立原子模型分析可知，在脉冲序列延时超过1ps时，增强是由熔融硅转换成金属特性所对应的吸收率改变导致；在脉冲延时小于1ps时，增强是由第1个脉冲激发电子导致。