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利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm的GaAs／Al0.45Ga0.55As量子级联激光器，条宽35μ，腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K，81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW。
GaAs／AlGaAs量子级联激光器
【摘 要】
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利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm的GaAs／Al0.45Ga0.55As量子级联激光器，条宽35μ，腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K，81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号: 60136010),,国家高技术研究发展计划(批准号: 2001AA311140),,国家重点基础研究发展规划(批准号G20000683 02)资助项目~~
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