论文部分内容阅读
分别对3种不种电子阻挡层的蓝光AlGaN LED进行数值模拟研究.3种阻挡层结构分别为传统Al-GaN电子阻挡层,AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层和Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层.此外对这对三种器件的活性区的载流子浓度、能带图、静电场和内量子效率进行比较和分析.研究结果表明,相较于传统AlGaN和AlGaN-GaN-AlGaN两种电子阻挡层的LED,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED具有较高的空穴注入效率、较低的电子外溢现象和较小的静电场(活性区).同时,具有Al组分渐变的AlGaN-GaN-AlGaN电子阻挡层结构的LED的efficiency droop现象也得到一定的缓解.