砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展

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着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAs MMIC研制方面的近期进展。在详细介绍MMIC有源器件(MESFET,PHEMT及HBT)的CAD模型建立技术及MMIC CAD设计优化技术的基础上,以NEDI近年开发的各种MMIC为实例,包括发射,、接收与控制三类电路,给出有关的实验结果。此外,简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果。
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