透明导电材料Cd2SnO4的制备Ⅰ-固相烧结制备原料粉体

来源 :粉末冶金技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：civili

【摘要】

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将不同配比的CdO与SnO2原料粉体充分混合后在750℃，850℃，950℃，1050℃，1150℃温度下进行无压烧结。采用XRD衍射仪和四探针电阻测试仪分析原料配比与烧结温度对无压烧结Cd，SnO4靶

【作者】

：

白雪王星明储茂友张碧田段华英石志霞孙静韩沧

【机构】

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北京有色金属研究总院稀有金属与冶金材料研究所

【出处】

：

粉末冶金技术

【发表日期】

：

2015年3期

【关键词】

：

Cd2SnO4 靶材烧结 Cd2 SnO4 target sintering

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将不同配比的CdO与SnO2原料粉体充分混合后在750℃，850℃，950℃，1050℃，1150℃温度下进行无压烧结。采用XRD衍射仪和四探针电阻测试仪分析原料配比与烧结温度对无压烧结Cd，SnO4靶材结构演化和电阻率的影响。结果表明：750—850℃低温无压烧结时，扩散反应发生缓慢，只有少量的Cd2SnO4生成．大部分Cd和Sn元素以氧化物的形式存在。950～1050℃无压烧结，随着温度升高，扩散反应速率较快，发生大量合成反应生成Cd2SnO4，当SnO2过量时，CdO完全参加反应。当温度上升至115

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