【摘 要】
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自旋转移力矩磁存储器（spin transfer torque random access memory,STTRAM）和磁阻式随机存储器（magnetic random access memory,MRAM）等新型存储器具有接近于DRAM的访问速度,是
【机 构】
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江苏大学计算机科学与通信工程学院,深圳信息职业技术学院信息中心
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自旋转移力矩磁存储器（spin transfer torque random access memory,STTRAM）和磁阻式随机存储器（magnetic random access memory,MRAM）等新型存储器具有接近于DRAM的访问速度,是构建高性能外存系统和提高计算机系统性能的重要手段,但有限的写次数是其重要局限之一.设计了文件系统级磨损均衡机制,使用Hash函数分散文件在外存中的存储,避免在创建和删除文件时反复分配某些存储块,通过分配文件空间时选择写次数较低的存储块,避免写操作的集中;使
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